広報活動

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2019年1月17日

東京大学
理化学研究所
科学技術振興機構

スピントロニクスにおける新現象「磁気スピンホール効果」の発見

-磁化で制御するスピン流−電流相互変換を確立-

東京大学物性研究所の木俣基助教(現:東北大学 金属材料研究所准教授)、杉本聡志特任研究員(現:物質・材料研究機構 NIMSポスドク研究員)、中辻知教授、大谷義近教授(理化学研究所 創発物性科学研究センターチームリーダーを兼任)、理化学研究所 創発物性科学研究センターの近藤浩太研究員、テキサス大学オースティン校のマクドナルド教授らの共同研究グループは、反強磁性金属Mn3Snを用いてスピントロニクス素子を作製し、Mn3Sn結晶表面にスピン蓄積が生じていることを確認しました。さらに、外部磁場の向きを変化させながら印加することでMn3Snの微小磁化の向きを反転させ、その変化とともに表面に蓄積されたスピンの極性が変化する新現象「磁気スピンホール効果」を発見しました。

詳細は東京大学 物性研究所のホームページをご覧ください。

報道担当

理化学研究所 広報室 報道担当
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