トポロジカル反強磁性体において電気的に読み書き可能な信号の増強に成功

東京大学大学院理学系研究科・東京大学物性研究所 中辻 知 教授、肥後友也 特任准教授、東京大学物性研究所 Tsai Hanshen 特任研究員らの研究グループは、東京大学物性研究所 大谷義近 教授（理化学研究所 創発物性科学研究センター チームリーダー併任）、理化学研究所 創発物性科学研究センター 近藤浩太 上級研究員の研究グループ、東京大学物性研究所 三輪真嗣 准教授、坂本祥哉 助教の研究グループと共同で、次世代の情報処理デバイスの主要材料として注目を集めている反強磁性体であるマンガン化合物Mn₃Snと重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも3倍大きくすることに成功しました。

反強磁性体はスピンのダイナミクスがTHz帯と強磁性体の場合に比べて2～3桁速く、磁性体間の相互作用が小さいため、磁気抵抗メモリをはじめとする磁気デバイスをさらに高速化・高集積化できる可能性があります。Mn₃Snはトポロジカルな電子構造に由来する巨大な応答を示す反強磁性体であり、磁気デバイス材料の有力候補として精力的に研究されています。今回、反強磁性体Mn₃Sn多層薄膜デバイスにおいて実証された電気的に読み書き可能な信号を増強する手法は、次世代の磁気デバイス開発に飛躍的な進展をもたらすことが期待されます。

詳細は東京大学 大学院理学系研究科・理学部のホームページをご覧ください。

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理化学研究所 広報室 報道担当
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