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2025年11月11日

東北大学
電磁材料研究所
理化学研究所

高いひずみ検出感度を示すナノグラニュラー材料を開発

-高感度・省電力かつ高密度集積が可能なひずみゲージの実現に期待-

東北大学学際科学フロンティア研究所の増本 博 教授らの研究グループは、電磁材料研究所、東北大学材料科学高等研究所(WPI-AIMR)、理化学研究所との共同研究により、金属ナノ粒子が絶縁体中に分散したナノグラニュラー材料が、現在広く利用されている金属箔ひずみゲージと比べ、約5倍の大きいゲージ率と約107倍の高い電気抵抗率を示すことを発見しました。また、この大きいゲージ率が、ナノ粒子間で起こる電子のトンネル伝導と、ひずみによるナノ複合構造の変化に起因することを明らかにしました。

詳細は東北大学のホームページをご覧ください。

報道担当

理化学研究所 広報部 報道担当
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